半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括：嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及与所述第一相变材料岛横向地接触的第一电极。根据本发明的半导体器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成电极层；对所述电极层进行图案化；形成第二绝缘层，以至少覆盖图案化的电极层和所述第一绝缘层；形成穿过所述第二绝缘层和所述电极层的开口；以及在所述开口中形成相变材料岛，其中图案化的电极层与所述相变材料岛横向地接触，从而至少定义与所述相变材料岛横向地接触的第一电极。该半导体器件还包括与所述第一相变材料岛接触的第二电极。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及与所述第一相变材料岛横向地接触的第一电极。