发明名称 | 半导体集成电路 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有:恒定电流部(60),其被供给电源并产生恒定电流,其中所述电源为第一电压;箝位部(71),其被供给由恒定电流部(60)产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压,将第一电压的电源箝位在第二电压;以及基准电压产生部(72),其被供给由箝位部(71)箝位后的电源并产生基准电压,箝位部(71)是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管(M11-1~M11-n)。 | ||
申请公布号 | CN103023480A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
申请号 | CN201210364883.5 | 申请日期 | 2012.09.26 |
申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 桑原浩一;山口公一 |
分类号 | H03K19/003(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/003(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟;范胜杰 |
主权项 | 一种半导体集成电路,其特征在于,具有:恒定电流部,其被供给电源并产生恒定电流,其中所述电源为第一电压;箝位部,其被供给由所述恒定电流部所产生的恒定电流并产生比所述第一电压低的第二电压,将所述第一电压的电源箝位在所述第二电压;以及基准电压产生部,其被供给由所述箝位部箝位后的电源并产生基准电压,所述箝位部是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管。 | ||
地址 | 日本东京都 |