分栅快闪存储器及其形成方法

摘要

本发明提供一种分栅快闪存储器及其形成方法。分栅快闪存储器的形成方法包括：衬底上依次形成第一介质层、浮栅层；浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在的区域为字线区；第二介质层周围形成第一侧墙，相邻第一侧墙之间的区域为源极线区；以第一侧墙为掩膜，刻蚀浮栅层和第一介质层至衬底；在源极线区形成源极线；去除第二介质层、及第二介质层下面的浮栅层和第一介质层，形成浮栅和浮栅介质层；在与字线区相邻的浮栅顶部尖端处以下的浮栅侧壁形成第三介质层；形成隧穿介质层，覆盖衬底、第三介质层、浮栅、第一侧墙和源极线表面；在字线区隧穿介质层上形成字线。采用本发明的方法可以提高擦除性能、降低施加在字线上的电压并节省功耗。

主权项

一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层，在所述浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在的区域为字线区；在所述第二介质层周围形成第一侧墙，相邻两个第一侧墙之间的区域为源极线区；以第一侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层和第一介质层至半导体衬底；在源极线区形成源极线；去除第二介质层、及第二介质层下面的浮栅层和第一介质层，形成浮栅和浮栅介质层；在与字线区相邻的浮栅顶部尖端处以下的浮栅侧壁形成第三介质层；形成隧穿介质层，覆盖半导体衬底、第三介质层、浮栅、第一侧墙和源极线表面；在字线区的隧穿介质层上形成字线。