| 发明名称 | 无金属污染的贯穿衬底过孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不受由于后侧平坦化工艺所致的金属污染影响的贯穿衬底过孔(TSV)结构。在形成贯穿衬底过孔(TSV)沟槽之后，扩散阻挡衬垫保形地沉积于TSV沟槽的侧壁上。通过在扩散阻挡衬垫的竖直部分上沉积电介质材料来形成电介质衬垫。通过随后填充TSV沟槽来形成金属传导过孔结构。去除扩散阻挡衬垫的水平部分。扩散阻挡衬垫在后侧平坦化期间通过阻止源于金属传导过孔结构的残留金属材料进入衬底的半导体材料来保护衬底的半导体材料，由此保护衬底内的半导体器件免受金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN103026483A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201180036336.8 | 申请日期 | 2011.07.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·G·法鲁奇;R·汉昂;R·P·沃兰特 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张宁 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括半导体衬底和嵌入于其中的贯穿衬底过孔(TSV)结构，其中所述TSV结构包括：扩散阻挡衬垫(48)，接触所述半导体衬底内的孔周围的邻接侧壁的全部；电介质衬垫(50V)，接触所述扩散阻挡衬垫的内侧壁；以及金属传导过孔结构(51)，横向接触所述电介质衬垫。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||