| 发明名称 |
一种超材料介质基板材料及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明提供了一种超材料介质基板材料及其制备方法，包括以下步骤，1011.将碳化硅粉末、溶剂、烧结助剂混合后研磨成细小颗粒；1012.将研磨后的细小颗粒用超声洗涤并干燥；1013.利用热等静压工艺对细小颗粒进行液相烧结，得到碳化硅陶瓷原材；1014.将上述步骤得到的碳化硅陶瓷烧结成碳化硅陶瓷多层板；102.根据需要选择不同质量比的碳化硅和烧结助剂，重复上述步骤，得到不同的碳化硅陶瓷多层板，将其烧结形成超材料的介质基板材料。应用本发明的制备方法，可以增强超材料介质基板材料的机械性能，使介质基板材料获得超高电导率，降低基板材料的介电损耗。液相烧结具有烧结温度较低，烧结过程经济简便的特点。 |
| 申请公布号 |
CN103011822A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
| 申请号 |
CN201110297857.0 |
申请日期 |
2011.09.28 |
| 申请人 |
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;曹燕归;付珍 |
| 分类号 |
C04B35/565(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：101.制备碳化硅陶瓷多层板；102.根据需要选择不同质量比的碳化硅和烧结助剂，重复上述步骤，得到不同的碳化硅陶瓷多层板，将其烧结形成超材料的介质基板材料。 |
| 地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦 |
