| 发明名称 | 半导体装置以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置以及其制造方法，提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。 | ||
| 申请公布号 | CN102142443B | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201010620964.8 | 申请日期 | 2007.02.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 高野圭惠;加藤清;桑原秀明 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 俞华梁;高为 |
| 主权项 | 一种包含至少一个存储单元的半导体装置，所述存储单元包括第一存储元件和第二存储元件，所述第一存储元件和所述第二存储元件包括：共同的第一电极；共同的第二电极；以及在所述共同的第一电极与所述共同的第二电极之间的共同材料层，其中，所述共同的第一电极具有底层和顶层，其中，所述底层的面积大于所述顶层的面积。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||