发明名称 | 抗蚀剂图形形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供抑制表面缺陷的图形形成方法。该图形形成方法包括在曝光后,在抗蚀剂表面上形成酸性的膜,然后,进行加热处理。用于形成ArF准分子激光等的短波长光、浸液光刻等的非常细微的图形的场合。 | ||
申请公布号 | CN102227686B | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
申请号 | CN200980147917.1 | 申请日期 | 2009.11.30 |
申请人 | AZ电子材料IP(日本)株式会社 | 发明人 | 康文兵;王晓伟;松浦裕里子 |
分类号 | G03F7/38(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/38(2006.01)I |
代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人 | 刘激扬 |
主权项 | 一种图形形成方法,其特征在于,该方法包括:在基板上涂覆抗蚀剂组合物,形成抗蚀膜;对上述抗蚀膜进行曝光;在上述抗蚀膜上涂覆酸性膜形成组合物,用酸性膜来覆盖,该酸性膜形成组合物包含不溶解上述抗蚀膜的溶剂和聚合物,并且该酸性膜形成组合物的pH在1.4~2.7的范围内;对上述抗蚀膜进行加热;通过显影液而进行显影。 | ||
地址 | 日本国东京都 |