| 发明名称 | 光电转换装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电转换装置的制造方法，能够提升太阳能电池的发电特性，所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1)，该光电转换装置(100)的制造方法具备：PH3暴露处理工序，使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后，将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中；i层制膜工序，在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12)；n层制膜工序，在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13)；以及电极形成工序，在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。 | ||
| 申请公布号 | CN103026508A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201180035754.5 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 中野慎也;竹内良昭;近藤道雄;松井卓矢 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 高培培;车文 |
| 主权项 | 一种光电转换装置的制造方法，所述光电转换装置以p型晶体Ge为基板，并在该基板上设置依次层叠i型非晶硅半导体层和n型非晶硅半导体层而成的异质结单元，该光电转换装置的制造方法具备：PH3暴露处理工序，使已除去表面形成的氧化膜的上述基板达到预定温度后，将该基板配置在真空腔室内并使该基板暴露于PH3气体中；i层制膜工序，在上述经PH3暴露的基板上，制作i型非晶硅半导体层；n层制膜工序，在上述i型非晶硅半导体层上，制作n型非晶硅半导体层；以及电极形成工序，在上述n型非晶硅半导体层上、及在上述基板的与制作有上述i型非晶硅半导体层的一侧相反的面上形成电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||