半导体部件及其制造方法

摘要

一种半导体部件以及用于制造该半导体部件的方法。垂直集成的无源器件制造在基片之上。根据一个实施方案，电阻器制造在高于基片的第一层次中，电容器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中，且铜电感器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器具有铝极板。根据另一个实施方案，电阻器制造在高于基片的第一层次中，铜电感器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中，且电容器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器可以具有铝极板，或者铜电感器的一部分可以用作其中一个电容器极板。

主权项

一种制造半导体部件的方法，包括以下步骤：提供基片；在所述基片之上的第一层次处形成电容器；其中形成所述电容器的步骤包括：在所述基片之上形成介电材料的第一层；在所述介电材料的第一层之上形成第一导体；在所述第一导体之上形成介电材料的第二层；在所述介电材料的第二层之上形成第二导体；在所述第一层次之上的第二层次处形成电感器，其中所述电容器和所述电感器中的至少一个包括镶嵌结构，并且其中形成所述电感器的步骤包括：在所述第二导体之上形成介电材料的第三层；在所述介电材料的第三层上形成介电材料的第四层；在所述介电材料的第三层中形成至少一个镶嵌开口，其中形成所述至少一个镶嵌开口的步骤包括：暴露所述介电材料的第四层的若干部分，其中暴露所述介电材料的第四层的所述若干部分形成第一开口；蚀刻所述介电材料的第四层的所暴露的部分，其中所述蚀刻停止于所述介电材料的第三层；在所述介电材料的第四层和所述介电材料的第三层之上形成介电材料的第五层；和形成第二开口，所述第二开口延伸通过所述介电材料的第五层和第四层并进入所述介电材料的第三层；在所述至少一个镶嵌开口中形成铜，其中在所述至少一个镶嵌开口中形成铜的步骤包括：在所述至少一个镶嵌开口中形成铜之前在所述至少一个镶嵌开口中形成阻挡层，其中所述铜、所述阻挡层和所述至少一个镶嵌开口协作形成所述镶嵌结构；以及从所述基片或在所述基片之上形成电阻器。