发明名称 |
用于曝光的掩模版、曝光方法以及半导体晶片的生产方法 |
摘要 |
本申请提供一种包含由减小投影曝光设备的圆形有效曝光区中的多个芯片图案构成的掩模版图案的用于曝光的掩模版,其中,所述掩模版图案具有布置成内接在有效曝光区的圆周内或者不从有效曝光区的圆周突出的外形,与平面视图中的四边形形状的芯片图案的数目相比具有更大数目的芯片图案,并且当顺序地曝光时,布置了所述多个芯片图案使得所述掩模版图案的顶部部分无间隙地匹配左右彼此邻近的掩模版图案的底部位置。 |
申请公布号 |
CN103019039A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210353422.8 |
申请日期 |
2012.09.21 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
清水宏信 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F1/56(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
曲宝壮;李浩 |
主权项 |
一种包含由减小投影曝光设备的圆形有效曝光区中的多个芯片图案构成的掩模版图案的用于曝光的掩模版,其中所述掩模版图案具有布置成内接在有效曝光区的圆周内或者不从所述有效曝光区的所述圆周突出的外形,与平面视图中的四边形形状的芯片图案的数目相比具有更大数目的芯片图案,并且当顺序地曝光时,所述多个芯片图案布置成使得所述掩模版图案的顶部部分无间隙地匹配左右彼此邻近的所述掩模版图案的底部位置。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |