一种金属互连层刻蚀方法

摘要

本发明提出一种应用于采用金属硬掩膜的第一金属互连层刻蚀方法，该方法在主刻蚀形成通孔和沟槽后，先采用双氧水溶液湿法刻蚀全部或部分金属硬掩膜，然后进行LRM，最后用EKC和DHF溶液分别清洗通孔和沟槽表面，完全去除刻蚀副产物的聚合物，解决了在主刻蚀和LRM之后，采用DHF清除刻蚀副产物容易造成金属硬掩膜下方的TEOS层和IMD的结合处出现凹陷的问题，避免由于凹陷破坏通孔表面的平坦，给后续步骤的通孔表面沉积扩散阻挡层和铜籽晶层造成困难。

主权项

一种金属互连层刻蚀方法，应用于采用金属硬掩膜的第一金属互连层的刻蚀，提供具有半导体器件层的晶片，所述半导体器件层中包括钨接触或钨栓塞，其特征在于，该方法包括：在所述钨接触或钨栓塞上方依次沉积衬垫层、金属间介质、正硅酸乙酯层和金属层后，光刻后刻蚀所述金属层形成金属硬掩膜；所述晶片器件面光刻形成第二光刻图案；以所述第二光刻图案和所述金属硬掩膜为遮蔽主刻蚀所述正硅酸乙酯层和金属间介质，形成通孔和沟槽，以所述衬垫层为主刻蚀停止层；湿法刻蚀去除部分或全部金属硬掩膜；以所述正硅酸乙酯层为遮蔽刻蚀所述衬垫层；碱性的羟基多巴胺类有机溶剂和含氢氟酸溶液分别湿法清洗所述通孔和沟槽。