发明名称 |
STI的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法 |
摘要 |
一种浅沟槽隔离结构(STI)的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法,其中浅沟槽隔离结构的制作工艺包括:利用HBr处理光刻胶,使得光刻胶硬度增强,同时在光刻胶的表面形成聚合物膜;利用含C-F基团或S-F基团的强腐蚀剂去除所述聚合物膜;利用光刻胶作为掩模进行刻蚀,在半导体衬底中形成底部平整的浅沟槽隔离结构的沟槽图形。本发明通过HBr处理使得光刻胶被坚硬化,再去除了HBr处理时形成的聚合物膜,避免了所述聚合物膜对后续刻蚀沟槽的影响,使得形成的隔离沟槽中形貌较好,没有尖角的产生,所述二氧化硅的填充过程中形成空洞的情况较少或者没有,减小了所述浅沟槽隔离结构漏电的情况,能实现符合要求的隔离效果。 |
申请公布号 |
CN103021925A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210564363.9 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
熊磊;奚裴 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种STI的制作工艺,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成垫氧化层;在所述垫氧化层上形成氮化硅层;在所述氮化硅层上形成具有浅沟槽隔离结构图形的光刻胶;利用HBr处理所述光刻胶,以增强所述光刻胶的硬度;利用含C‑F基团或S‑F基团的腐蚀剂处理所述光刻胶,以去除所述HBr处理过程中形成在光刻胶表面的聚合物膜;利用光刻胶作为掩模进行刻蚀,在所述半导体衬底中形成底部平整的浅沟槽隔离结构的沟槽图形。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |