发明名称 一种薄膜晶体管
摘要 本发明涉及一种薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件包括衬底11、源漏极19、有源层17、绝缘层15以及栅极13,其中有源层为含IIIB族金属氧化物。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。可实现工艺大为简化,性能更加优良。
申请公布号 CN103022151A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210574980.7 申请日期 2012.12.25
申请人 青岛盛嘉信息科技有限公司 发明人 曲志乾;于正友;魏薇
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种薄膜晶体管,包括衬底、源漏极、有源层、绝缘层以及栅极,其中有源层为含IIIB族金属氧化物。
地址 266071 山东省青岛市市南区如东路18号3号楼二单元101户