用于制备多层式晶体结构的方法

摘要

本发明一般而言涉及用于制造多层式晶体结构的方法。所述方法包括将离子注入到供体结构中，将经注入的供体结构接合到第二结构以形成接合结构，劈裂所述接合结构，以及从完成的多层式晶体结构去除所述供体结构的任何残留部分。

主权项

一种用于制备多层式晶体结构的方法，所述方法包括：将选自氢、氦及其组合的离子注入到供体结构中，其中所述供体结构包括中心轴、器件层、处理层以及中间层，所述器件层具有与所述中心轴大致垂直的注入表面和器件表面以及沿轴方向从所述器件层的所述注入表面延伸到所述器件表面的平均厚度t，所述中间层沿所述供体结构的所述中心轴位于所述器件表面与所述处理层之间，其中所述离子通过所述注入表面而被注入到所述供体结构中至注入深度D1以在注入的供体结构中形成损伤层，所述注入深度D1大于所述器件层的厚度t，所述损伤层大致垂直于所述轴并位于所述中间层中和/或所述处理层中；将所述注入的供体结构接合到第二结构以形成接合结构；沿所述损伤层劈裂所述供体结构以形成包括所述第二结构、所述器件层以及残留材料的多层式晶体结构，所述残留材料至少包括所述中间层的一部分和可选地所述处理层的一部分；以及从所述多层式晶体结构去除所述残留材料。