含硅膜的蚀刻方法以及装置

摘要

本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。

主权项

一种含硅膜的蚀刻方法，是对基底膜上层叠了含硅膜的被处理物进行蚀刻的方法，其特征在于，使含有氟系反应成分的处理气体与所述被处理物接触，使所述处理气体在被处理物上的流速根据蚀刻的进行而发生变化，使对所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分进行蚀刻的期间内的所述流速相对较小，以下将“对所述含硅膜的要蚀刻的部分中的大部分进行蚀刻的期间”称为第1蚀刻工序，使对所述含硅膜的要蚀刻的部分中在所述第1蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻的期间内的所述流速相对较大，以下将“对所述含硅膜的要蚀刻的部分中在所述第1蚀刻工序后残留的部分进行蚀刻的期间”称为第2蚀刻工序，所述第1蚀刻工序的所述流速小于所述第2蚀刻工序的所述流速。