| 发明名称 | 一种阵列基板及制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本；该方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管TFT沟道的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。用于制备阵列基板、显示装置等。 | ||
| 申请公布号 | CN103022055A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210585681.3 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 郭建 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制备方法，包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图案层；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括有源层的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、数据线、源电极、漏电极和薄膜场效应晶体管TFT沟道的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤6、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||