发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置,通过在GOA区域中,刻蚀掉的薄膜晶体管连接区域的栅极绝缘层、有源半导体层,而使薄膜晶体管连接区域中的透明导电层直接与薄膜晶体管的栅极引线、欧姆接触层、源漏极引出线以及基板直接接触,从而可减少的薄膜晶体管连接区域的透明导电层发生开裂的情况,而在GOA区域中薄膜晶体管所在区域,通过在欧姆接触层与有源半导体层之间增设绝缘阻挡层,从而避免薄膜晶体管发生沟道断开的现象。 |
申请公布号 |
CN103022031A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210475875.8 |
申请日期 |
2012.11.21 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
范昭奇;刘同军;段献学;杨成绍;邓立赟 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;安利霞 |
主权项 |
一种阵列基板,包括设置于阵列基板上的阵列基板行驱动GOA区域,其中GOA区域包括薄膜晶体管和薄膜晶体管连接区域,其特征在于,所述薄膜晶体管连接区域包括:第一薄膜晶体管的栅极引出区,第二薄膜晶体管的源漏极引出区;第一薄膜晶体管的栅极引出区包括设置于基板之上的栅极引线;第二薄膜晶体管的源漏极引出区包括设置于基板之上的欧姆接触层,欧姆接触层与第一薄膜晶体管的栅极引出区的栅极引线同层设置,且所述欧姆接触层之上设置有源漏极引出线;设置于基板、栅极引线、欧姆接触层以及源漏极引出线之上的透明导电层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |