基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法

摘要

本发明属嵌入式存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法。该方法中，包括步骤：完成伪栅制备后构图形成选通管以及编程管的源极和漏极；通过自对准工艺形成金属硅化物接触，并去除伪栅和牺牲层；构图淀积形成编程管的栅极部分；构图淀积形成选通管的栅极部分；形成层间介质以及钨栓塞；以及形成铜互连后端结构中的铜引线和铜通孔。本发明方法易于与CMOS铜互连前端工艺兼容，相对简单、成本低廉，所制备的嵌入式存储器尤其适用于一次性编程器件或多次编程器件。

主权项

一种基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法，所述存储器包括选通管和编程管，所述编程管的栅极部分包括具有阻变存储特性的介质层，其特征在于，包括以下步骤：完成伪栅制备后构图形成选通管以及编程管的源极和漏极；通过自对准工艺形成金属硅化物接触，并去除伪栅和牺牲层；构图淀积形成编程管的栅极部分；构图淀积形成选通管的栅极部分；形成层间介质以及钨栓塞；以及形成铜互连后端结构中的铜引线和铜通孔。