| 发明名称 | 半导体器件以及电极端子 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种半导体器件，该半导体器件具有：基板；安装于上述基板的半导体芯片；与上述半导体芯片电连接的电极；具有锡焊于上述电极的、作为一个端部的第1端子部和作为另一个端部的第2端子部的电极端子；以及覆盖上述基板、上述半导体芯片、上述电极、上述第1端子部、以及上述第2端子部的壳体。该半导体器件的上述电极端子的一部分露出到上述壳体的外部，上述第1端子部和上述第2端子部在上述壳体的内部以朝向上述壳体的而对置的方式折弯，并且相接近地锡焊于上述电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103021998A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210069369.9 | 申请日期 | 2012.03.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中尾淳一 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高科 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具有：基板；半导体芯片，安装于上述基板；电极，与上述半导体芯片电连接；电极端子，具有锡焊于上述电极的、作为一个端部的第1端子部和作为另一个端部的第2端子部；以及壳体，覆盖上述基板、上述半导体芯片、上述电极、上述第1端子部、以及上述第2端子部，其中，上述电极端子的一部分露出到上述壳体的外部，上述第1端子部和上述第2端子部在上述壳体的内部以朝向上述壳体的中央而对置的方式折弯，并且相接近地锡焊于上述电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||