降低等效电阻的硅电容器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种降低等效电阻的硅电容器，包括衬底，在衬底上表面形成多个凹槽，在衬底的上表面和凹槽的表面形成导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上设置多晶层；所述导电层、介质层和多晶层依次设置在凹槽内，并且凹槽被多晶层填满；其特征是：在所述多晶层上设置金属层，金属层与多晶层欧姆接触；在所述金属层上设置绝缘隔离层，绝缘隔离层覆盖住下方的金属层、多晶层和介质层；在所述绝缘隔离层上设置第一连接孔和第二连接孔，在第一连接孔和第二连接孔处分别设置第一电极和第二电极，第一电极与导电层连接，第二电极与金属层接触。本发明在多晶层上覆盖金属铝，制造工艺简单，得到的电容器体积小、电容量大。

主权项

一种降低等效电阻的硅电容器，包括衬底，在衬底上表面形成多个凹槽，凹槽从衬底的上表面向下表面方向延伸；在所述衬底的上表面和凹槽的表面形成导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上设置多晶层；所述导电层、介质层和多晶层依次设置在凹槽内，并且凹槽被多晶层填满；其特征是：在所述多晶层上设置金属层，金属层与多晶层欧姆接触；在所述金属层上设置绝缘隔离层，绝缘隔离层覆盖住下方的金属层、多晶层和介质层；在所述绝缘隔离层上设置第一连接孔和第二连接孔，第一连接孔的底部与导电层接触，第二连接孔的底部与金属层接触，在第一连接孔和第二连接孔处分别设置第一电极和第二电极，第一电极与导电层连接，第二电极与金属层接触，第一电极和第二电极之间由绝缘隔离层相隔离。