一种单晶炉二次加料方法

摘要

本发明公开了一种单晶炉二次加料方法，当完成第一根硅单晶棒生长后，在主炉室中的坩埚内剩余一部分多晶硅熔液，将第一根硅单晶棒提拉至副炉室中后，关闭隔离阀，通过提升机构将副炉室提升后旋转开，取出第一根硅单晶棒，而后通过机械抓手将棒状多晶硅原料吊挂在钢丝软轴上，再将副炉室旋转安放至主炉室顶部，打开隔离阀，通过籽晶升降机构下放钢丝软轴，钢丝软轴下端的机械抓手将棒状多晶硅原料缓慢地送入坩埚中，启动加热系统使棒状多晶硅原料熔化，顺利地将多晶硅原料加入坩埚中，实现二次加料，以满足第二根硅单晶棒的生长。本发明方法大大缩短了辅助时间，提高了工作效率。

主权项

一种单晶炉二次加料方法，其特征在于：当完成第一根硅单晶棒生长后，通过籽晶升降机构、钢丝软轴及机械抓手将棒状多晶硅原料直接下入到坩埚中熔化，顺利实现二次加料。