发明名称 硅基薄膜太阳能电池制造方法及其制造装置
摘要 一种硅基薄膜太阳能电池制造方法及其制造装置,所述制造方法包括:提供基板,所述基板上包括透明电极层;提供一化学气相沉积装置,所述化学气相沉积装置包括第一处理腔;将所述基板传输至第一处理腔中,在所述透明电极层上形成P型半导体层;将包括P型半导体层的基板从所述第一处理腔中取出,对所述第一处理腔进行清洗;将包括P型半导体层的基板传输至第一处理腔中,在所述P型半导体层上形成本征半导体层;在所述本征半导体层上形成N型半导体层。所述制造装置包括:加载腔、第一处理腔、包括搬运机械手的真空传输腔和控制模块。本发明可以低成本且高效地消除形成P型半导体层时的残留物对本征半导体层的污染。
申请公布号 CN103022268A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201110283516.8 申请日期 2011.09.22
申请人 理想能源设备(上海)有限公司 发明人 胡兵
分类号 H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种硅基薄膜太阳能电池制造方法,包括:提供基板,所述基板上包括透明电极层;提供一化学气相沉积装置,所述化学气相沉积装置包括第一处理腔;将所述基板传输至第一处理腔中,在所述透明电极层上形成P型半导体层;将包括P型半导体层的基板从所述第一处理腔中取出,对所述第一处理腔进行清洗;将包括P型半导体层的基板传输至第一处理腔中,在所述P型半导体层上形成本征半导体层;在所述本征半导体层上形成N型半导体层。
地址 201203 上海市浦东新区张江居里路1号