| 发明名称 | 一种掺杂In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点的钠硼硅玻璃及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂In2S3量子点的钠硼硅玻璃及其制备方法，所述掺杂In2S3量子点的钠硼硅玻璃是在钠硼硅基玻璃中均匀掺杂In2S3量子点，所述钠硼硅基玻璃的质量百分比组成为：5~15%Na2O-15~30%B2O3-55~80%SiO2；所述In2S3量子点的掺入量为钠硼硅基玻璃质量的0.1%～5.0%。所述掺杂量子点的钠硼硅玻璃是利用溶胶-凝胶法结合气氛控制制备得到，具有良好的三阶非线性光学性能和热稳定性并在可见-红外区域具有高透光率，是一种有望制作高速全光逻辑器件的重要候选材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103011589A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210217163.6 | 申请日期 | 2012.06.27 |
| 申请人 | 温州大学 | 发明人 | 向卫东;赵海军;陈兆平;钟家松;梁晓娟;赵秀丽;罗洪艳 |
| 分类号 | C03C4/00(2006.01)I;C03C3/089(2006.01)I;C03B8/02(2006.01)I | 主分类号 | C03C4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人 | 黄美娟;俞慧 |
| 主权项 | 一种掺杂In2S3量子点的钠硼硅玻璃，其特征在于：所述掺杂In2S3量子点的钠硼硅玻璃是在钠硼硅基玻璃中均匀掺杂In2S3量子点，所述钠硼硅基玻璃的质量百分比组成为：5~15%Na2O‑15~30%B2O3‑55~80%SiO2；所述In2S3量子点的掺入量为钠硼硅基玻璃质量的0.1%～5.0%。 | ||
| 地址 | 325035 浙江省温州市茶山高教园区 | ||