半导体存储器件及其制造方法、半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下，降低了其制造成本，同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件，包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构，并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构，并且设计为DRAM。

主权项

一种半导体存储器件，包括：可变电阻型存储器的可变电阻元件，所述可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM（金属‑绝缘体‑金属）结构；和DRAM（动态随机存取存储器）的电容元件，所述电容元件具有比所述第一深度深的第二深度的柱型MIM结构。