填充电路单元

摘要

一种填充电路单元，包含有一去耦合电容、一接低(tie low)电路与一接高(tie high)电路。其中去耦合电容包含一第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管与一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，且第一NMOS晶体管的源极/漏极是连接一第二电源，而第一PMOS晶体管的源极/漏极是连接一第一电源。接低电路包含一第二NMOS晶体管与一第二PMOS晶体管，接高电路则包含一第三NMOS晶体管与一第三PMOS晶体管。

主权项

一种填充电路单元，包含有：一去耦合电容，包含一第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管与一第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管，该第一NMOS晶体管的源极和漏极连接一第二电源，且该第一PMOS晶体管的源极和漏极连接一第一电源；一接低电路，设于该第一PMOS晶体管及该第二电源之间，包含一第二NMOS晶体管与一第二PMOS晶体管，其中该第二NMOS晶体管的源极和漏极中的一个连接该第一PMOS晶体管的栅极、并且源极和漏极中的另一个连接该第二电源，该第二PMOS晶体管的源极和漏极中的一个及栅极连接第二NMOS晶体管的栅极、并且源极和漏极中的另一个连接该第一电源；以及一接高电路，设于该第一NMOS晶体管及该第一电源之间，包含一第三NMOS晶体管与一第三PMOS晶体管，其中该第三NMOS晶体管的源极和漏极中的一个及栅极连接该第三PMOS晶体管的栅极、并且源极和漏极中的另一个连接该第二电源，该第三PMOS晶体管的源极和漏极中的一个连接该第一NMOS晶体管的栅极、并且源极和漏极中的另一个连接该第一电源。