| 发明名称 | 一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种IGBT芯片及其设计方法，具体涉及一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法。截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。本发明电网应用大功率IGBT截止环设计方法，将传统快恢复二极管的终端截止环设计应用于高压大功率IGBT芯片设计，工艺简单，适用不同终端结构IGBT芯片的设计，可行性强。 | ||
| 申请公布号 | CN103022114A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210432069.2 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 国网智能电网研究院;国家电网公司 | 发明人 | 刘江;赵哿;高明超;金锐 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片，所述IGBT芯片包括终端区，所述终端区包括终端基本单元和截止环；其特征在于，所述截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城） | ||