掺氧半绝缘多晶硅膜及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及掺氧半绝缘多晶硅及其制作方法，该方法包括：按照第一流量比向放置有硅片的反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在硅片上反应，持续反应达到第一反应时间长度后，生成具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘多晶硅层；按照第二流量比向反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在第一掺氧半绝缘多晶硅层上反应，持续反应达到第二反应时间长度后，生成具有第二含氧量的第二掺氧半绝缘多晶硅层；其中，第二含氧量大于第一含氧量。使用本发明实施例提供的掺氧半绝缘多晶硅及其制作方法，通过改进工艺流程，控制反应物的流量比，生成不同含氧量的掺氧半绝缘多晶硅层，进而既保证了器件耐压特性，又避免出现“铝印”现象。

主权项

一种掺氧半绝缘多晶硅膜的制作方法，其特征在于，该方法包括：按照第一流量比向放置有硅片的反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在硅片上反应，持续反应达到第一反应时间长度后，生成具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘多晶硅层；按照第二流量比向反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在所述第一掺氧半绝缘多晶硅层上反应，持续反应达到第二反应时间长度后，生成具有第二含氧量的第二掺氧半绝缘多晶硅层；其中，所述第二含氧量大于所述第一含氧量。