| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103022122A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210353262.7 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 牧山刚三;吉川俊英 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H02M5/10(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；由单一材料构成并且形成为覆盖所述化合物半导体层的均质膜并且具有形成于其中的开口的绝缘膜；以及形成于所述化合物半导体层之上以填充所述开口的栅极，所述化合物半导体器件还具有形成在所述开口的一个边缘部分处的含氧保护部。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||