纳米结构LED

摘要

本发明涉及纳米结构LED。根据本发明的器件包含纳米结构LED，该纳米结构LED具有从衬底的第一区域突出的第一组纳米线以及在衬底的第二区域中的接触装置。第一组纳米线的每个纳米线包含p-i-n结且每个纳米线的顶部部分或至少一种纳米线选集被覆盖有光反射接触层。第二区域的接触装置与纳米线的底部部分电接触，光反射接触层经由p-i-n结与第二区域的接触装置电接触。因而当电压施加在第二区域的接触装置与光反射接触层之间时，在纳米线内产生光。用于倒装芯片结合的第一组接触焊盘可以被提供在光反射接触层的顶部上，其是分布式的并被分离以使跨过该层的电压相等从而减小平均串联电阻。

主权项

一种用于形成纳米结构LED的方法，包括：形成至少一个纳米线，其中每个纳米线从衬底突出，每个纳米线包含pn结或p‑i‑n结（160），形成接触装置，其中将每个纳米线的顶部部分（140）或者至少一部分纳米线覆盖有光反射或透明接触层（130）以形成至少一个纳米线接触组，该接触装置与每个纳米线的底部部分（145）电接触，该光反射或透明接触层（130）经由pn结或p‑i‑n结与该接触装置电接触，其特征在于该接触装置是分布式的且彼此分离以减小平均串联电阻的第一组接触焊盘（190）。