发明名称 |
监测刻蚀工艺的方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种监测刻蚀工艺的方法,其先以通气体步骤将不会与具有特定组成的化学液反应的气体以气体管路装置通入化学液中,并得到对应于化学液组成的第一平衡压力,再将待刻蚀的晶圆半成品放入化学液中进行刻蚀步骤,接着进行气体压力侦测步骤记录该气体在该晶圆半成品完成刻蚀步骤后的第二平衡压力,并配合计算步骤计算气体平衡压力差而得知化学液经过刻蚀后的组成变化;本发明不需以另外的控片刻蚀、量测等工艺来监测化学液的刻蚀能力,且可即时又简易地由气体平衡压力的变化来监测化学液的组成成分,进而缩短整体工艺时间、降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN103021895A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210282547.6 |
申请日期 |
2012.08.06 |
申请人 |
隆达电子股份有限公司 |
发明人 |
邱志欣;赵启仲;何孝恒 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种监测刻蚀工艺的方法,其特征在于:该方法包含:一个通气体步骤,将一种不会与特定组成的化学液产生化学反应的气体以一个气体管路装置通入该化学液中,并得到一个对应于该化学液组成成分的第一平衡压力;一个刻蚀步骤,将至少一片晶圆半成品浸入该化学液中进行刻蚀,并在刻蚀完毕取出该晶圆半成品进行后续工艺;一个气体压力侦测步骤,量测经该气体管路装置通入该化学液中的气体压力值,得到一个对应于该化学液经刻蚀后组成成分变化的第二平衡压力;及一计算步骤,计算该第一、二平衡压力的差值而得到该化学液经过刻蚀后的组成成份变化量。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市工业东三路3号 |