发明名称 |
一种BeMgZnO基MSM日盲探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器及其制备方法,包括衬底、衬底上沉积有缓冲层,缓冲层上生长有薄膜层;薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形,叉指电极之间的间隙部分为感光区域;所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层,BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为几十纳米到几微米不等;BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节Be、Mg和Zn三种元素的原子配比来调节禁带宽度,禁带宽度为3.37eV~6.2eV。本发明通过BeMgZnO四元合金薄膜层作为吸收层,获得在日盲范围200nm到375nm响应的紫外探测器,从而覆盖整个日盲区。 |
申请公布号 |
CN103022217A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210477745.8 |
申请日期 |
2012.11.22 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
汤子康;祝渊;苏龙兴;张权林;陈明明;陈安琪;桂许春;项荣;吴天准 |
分类号 |
H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/103(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
陈卫 |
主权项 |
一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器,包括衬底、衬底上沉积有缓冲层,缓冲层上生长有薄膜层;薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形,叉指电极之间的间隙部分为感光区域;其特征在于:所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层,BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为200nm~1um;BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度,其禁带宽度为3.37eV~6.2eV。 |
地址 |
510275 广东省广州市新港西路135号 |