| 摘要 |
〔课题〕提供C、N含有量低，Ta/N组成比高，做为确保和Cu膜密着性的障壁膜是有用的低阻抗之钽氮化物膜之形成方法。;〔解决手段〕在真空腔室内，导入在Ta元素的周围配位了N＝(R,R')(R及R'系表示碳原子数1~6个的烷基，其各自可为相同的基也可为互异的基)而成之配位化合物所成之原料气体而令其被吸附在基板上后，导入含氧原子气体而生成TaOxNy(R,R')z，然后导入活性化的反应气体以还原键结在Ta上的氧，且，将键结在N上之R(R')基切断去除，形成富含Ta之钽氮化物膜。又，将钽粒子藉由溅镀法打入至所得的膜中，使其更富含Ta。 |
