反向器制造方法及反向器

摘要

为了设置能够容易制造之增强型一空乏型(E/D)反向器，在本发明中，反向器系由氧化物半导体所组成，其中通道层包括选自In(铟)、Ga(镓)、及Zn(锌)的至少其中之一元素，并形成在同一基板上，反向器是具有复数薄膜电晶体之E/D反向器，反向器的制造方法之特征为包含以下步骤：形成第一电晶体和第二电晶体，第一和第二电晶体的通道层之厚度彼此不同；及对第一和第二电晶体之通道层的至少其中之一执行热处理。