发明名称 溅镀装置及成膜方法
摘要 本发明系关于一种对基板之表面进行成膜处理之溅镀装置,其具备;载置上述基板之平台;以中心轴相对于载置在该平台上之上述基板之法线倾斜的方式配置的复数个靶材;于上述各靶材与上述基板之间以包围上述基板周围的方式设置的复数个磁场施加机构;该等磁场施加机构系于上述基板之边缘部分的上方,产生具有与上述基板之表面平行之水平磁场成分的磁场。
申请公布号 TWI391513 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW097146000 申请日期 2008.11.27
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 菊地幸男
分类号 C23C14/35;C23C14/08;H01L21/316;H01L21/8246 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本