化合物半导体发光装置

摘要

一种化合物半导体发光装置，其特征包含：;一导电基材；一包括GaN层的化合物半导体功能层；一电极；一增进黏着层；及一接合层，依此顺序堆叠，其中上述的导电基材包括热膨胀系数与GaN相差1.5×10－6/℃或更少的金属材料。