| 摘要 |
本发明系揭示一种形成于一基板上的高压P型金属氧化半导体装置，该基板具有形成于一第二极性类型之一磊晶层中的一第一极性类型之一高压(high voltage；HV)井，该装置包括处于该基板上而至少部分在该高压井上之一对场氧化物区域。绝缘闸极系形成于该基板上而介于该等场氧化物区域之间。堆叠异质掺杂边缘系形成于该高压井内，并与该等闸极之外部边缘自我对齐。该第一极性类型之一缓冲区域系形成于该高压井内而介于该等闸极的内部边缘之间，且与该等内部边缘自我对齐。该第二极性类型之一漂移区域系形成于该缓冲区域内而介于该等闸极的内部边缘之间，且与该等内部边缘自我对齐。该漂移区域包括具有一掺杂物浓度渐进变化之一区域，且包括该第二极性类型之一汲极区域。 |
