原位沉积ＣｕＩｎＳ2膜层的方法及包含此膜层的太阳能元件

摘要

在此揭示一种原位形成CuInS2膜层的方法及其用途。所揭示方法特征是在保持真空不破的情况下，藉由热蒸镀形成具有2层结构的Cu-In薄膜或是具有6层结构的Cu-In薄膜，经过热处理及硫化反应而形成CuInS2膜层。此CuInS2膜层可用来制造太阳能元件，供后续应用。