低温制造高应变ＰＥＣＶＤ氮化矽薄膜之方法

摘要

提供一种藉由修改此类压力源的内部结构而增加非晶薄膜压力源之应力位准的方法。本方法包含首先形成非晶膜压力源材料之第一部分于基板之至少一表面上，此第一部分具有定义一第一应力值之第一机械应变状态。于该形成步骤后，致密化非晶膜压力源材料之第一部分，使得第一机械应变状态实质未改变，而增加第一应力值。于若干实施例中，重复任何次数的形成与致密化步骤，以获得预选所欲厚度之压力源。