发明名称 薄膜装置及其制造方法
摘要 本发明之薄膜装置具备基板、以及设置于基板上之电容器。电容器具有下部导体层;一部分配置于下部导体层上之介电体膜;以及配置于介电体膜上之上部导体层。下部导体层具有上表面、侧面、以及由此等所形成之角部。上部导体层具有上部电极部分,该上部电极部分具有隔着介电体膜而与下部导体层之上表面对向之下表面。自上部导体层上方观察时,上部电极部分的下表面之外缘系配置于下部导体层上表面之内侧,而并未与下部导体层上表面之外缘接触。
申请公布号 TWI391967 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW095140548 申请日期 2006.11.02
申请人 TDK股份有限公司 日本 发明人 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃
分类号 H01G4/33;H01L21/822;H01L27/04;H05K1/16 主分类号 H01G4/33
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本