用以补偿ＭＯＳＦＥＴ积体电路中之制程导致的性能变异之方法

摘要

一种补偿MOSFET积体电路中制程导致之临限电压与驱动电流之变异的自动化方法。此方法的第一步骤从阵列选择欲分析的电晶体。此方法依照需求在阵列的电晶体中循环。下一步，分析已选择之电晶体的设计，包括下列步骤：判断周遭布局导致之临限电压变异以及判断布局周遭导致之驱动电流变异。此方法接着藉由变化电晶体之闸极的长度来尝试补偿任何已判断的变异。此方法可进一步包括藉由变化接点间隔来辨别补偿中的任何缺点之步骤。