背闸式的静态随机存取记忆体单元

摘要

本发明提供用于一背闸式的静态随机存取记忆体(SRAM)单元之方法、装置及系统。一种用于操作一SRAM单元之方法实施例包括：在一写入操作期间，将一电位施加至该SRAM中之一对交叉耦合p型上拉电晶体的一背闸极。该方法包括：在一读取操作期间，将一接地电位施加至该对交叉耦合p型上拉电晶体的该背闸极。在该写入操作期间及在一读取操作期间，将储存于该SRAM之一对交叉耦合储存节点上的电荷耦合至该SRAM中之一对交叉耦合n型下拉电晶体的一前闸极及一背闸极。