发明名称 |
晶片级电子封装之穿孔结构 |
摘要 |
一种晶片级电子封装之穿孔结构,其包括:一晶片,其设有至少一个射频路径,其中该射频路径穿设于该晶片中;以及一穿孔结构,其周设于该射频路径外侧;其中该穿孔结构可为复数个填入金属材料之穿孔、或复数个内表面镀上金属之穿孔、又或上述两种穿孔所组成。藉此,该穿孔结构为一电性参考面,用以防止于该射频路径中传输之信号产生衰减或干扰的现象。 |
申请公布号 |
TWI392075 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
申请号 |
TW096126725 |
申请日期 |
2007.07.20 |
申请人 |
海华科技股份有限公司 新北市新店区宝中路94号8楼 |
发明人 |
黄忠谔;黄建渝 |
分类号 |
H01L23/60;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/60 |
代理机构 |
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代理人 |
张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
主权项 |
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地址 |
新北市新店区宝中路94号8楼 |