发明名称 晶片级电子封装之穿孔结构
摘要 一种晶片级电子封装之穿孔结构,其包括:一晶片,其设有至少一个射频路径,其中该射频路径穿设于该晶片中;以及一穿孔结构,其周设于该射频路径外侧;其中该穿孔结构可为复数个填入金属材料之穿孔、或复数个内表面镀上金属之穿孔、又或上述两种穿孔所组成。藉此,该穿孔结构为一电性参考面,用以防止于该射频路径中传输之信号产生衰减或干扰的现象。
申请公布号 TWI392075 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW096126725 申请日期 2007.07.20
申请人 海华科技股份有限公司 新北市新店区宝中路94号8楼 发明人 黄忠谔;黄建渝
分类号 H01L23/60;H01L21/768 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项
地址 新北市新店区宝中路94号8楼