半导体记忆体之资料写入方法及记忆体控制器

摘要

本发明揭示一种半导体记忆体(11)之资料写入方法，其中串联连接分别具有连接至一字元(WL)的闸级之非挥发性记忆胞(MC)，该方法包含：依据资料待写入之记忆胞(MC)之一字元线位址来选择(S13)用于该资料之一搅乱方法；搅乱(S14)该资料；以及依据该字元线位址将该搅乱资料写入(S15)该等记忆胞(MC)中。使用该选定之搅乱方法来搅乱该资料。