发明名称 光阻覆盖膜形成材料、光阻图案形成方法、以及电子元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种材料,包括:具有至少一硷可溶性基团且系藉由下述通式(1)所代表之含矽聚合物;以及能够溶解此含矽聚合物之有机溶剂。;(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c通式(1);其中R1代表单价有机基团、氢原子及羟基中至少一者,R2代表单价有机基团及氢原子中至少一者(其中R1及R2各自可出现二次或更多次,以及R1及R2中至少一者含有硷可溶性基团),“t”代表整数1至3,“a”、“b”及“c”代表其单元的相对比例(其中a>=0、b>=0及c>=0,以及“a”、“b”及“c”不同时为0),以及(R1tSiO(4-t)/2)b可出现二次或更多次。
申请公布号 TWI391786 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW096127262 申请日期 2007.07.26
申请人 富士通股份有限公司 日本 发明人 小泽美和;野崎耕司;并木崇久
分类号 G03F7/075;G03F7/11;H01L21/027 主分类号 G03F7/075
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 日本