发明名称 |
光阻覆盖膜形成材料、光阻图案形成方法、以及电子元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种材料,包括:具有至少一硷可溶性基团且系藉由下述通式(1)所代表之含矽聚合物;以及能够溶解此含矽聚合物之有机溶剂。;(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c通式(1);其中R1代表单价有机基团、氢原子及羟基中至少一者,R2代表单价有机基团及氢原子中至少一者(其中R1及R2各自可出现二次或更多次,以及R1及R2中至少一者含有硷可溶性基团),“t”代表整数1至3,“a”、“b”及“c”代表其单元的相对比例(其中a>=0、b>=0及c>=0,以及“a”、“b”及“c”不同时为0),以及(R1tSiO(4-t)/2)b可出现二次或更多次。 |
申请公布号 |
TWI391786 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
申请号 |
TW096127262 |
申请日期 |
2007.07.26 |
申请人 |
富士通股份有限公司 日本 |
发明人 |
小泽美和;野崎耕司;并木崇久 |
分类号 |
G03F7/075;G03F7/11;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/075 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |