| 发明名称 |
半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置 |
| 摘要 |
一种半导体装置之制造方法，可提高金属盖层之可靠性与生产性。该方法系包含：绝缘层步骤，在具有元件区域(2b)之半导体基板(2)积层绝缘层(11)；凹部步骤，在绝缘层(11)形成凹部(12)；金属层步骤，在凹部(12)埋入金属层(13)；平坦化步骤，使绝缘层(11)表面与金属层(13)表面平坦化为大致同一面；以及金属盖层步骤，于平坦化步骤后，在绝缘层(11)的表面与金属层(13)的表面将至少包锆元素与氮元素之金属盖层(16)成膜。 |
| 申请公布号 |
TWI392025 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
| 申请号 |
TW097106539 |
申请日期 |
2008.02.26 |
| 申请人 |
爱发科股份有限公司 日本 |
发明人 |
畠中正信;津曲加奈子;石川道夫 |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/314;C23C16/34 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
