半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体记忆装置具备第一记忆胞电晶体，其系包含：通道绝缘膜，其系设置于半导体基板上；浮游电极，其系设置于前述通道绝缘膜上；闸极间绝缘膜，其系设置于前述浮游电极上；及控制电极，其系设置于前述闸极间绝缘膜上；前述浮游电极包含：第一浮游电极，其系设置于前述通道绝缘膜上；及第二浮游电极，其系设置于前述第一浮游电极一方之端部上，具有比前述第一浮游电极之宽度窄之宽度；前述控制电极之布线方向之剖面为L字形。