形成具矽化物层之半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种形成半导体装置之方法，其包括：提供一半导体基板；在该半导体基板上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一导电层；在该导电层上形成一第一金属矽化物层；图案化该导电层以形成一图案化第一层，其中该图案化第一层系一控制电极之一部分；图案化该第一金属矽化物层，以在该控制电极上形成一图案化第一金属矽化物层，使得该图案化第一金属矽化物层继续存在于该控制电极上；以及在该图案化金属矽化物层上形成一第二金属矽化物层，其中该第二金属矽化物层之厚度大于第一金属矽化物层之厚度。