由长晶基底的移除所制造之共振腔III族氮化物发光装置

摘要

一种半导体发光装置包括一n型区、一p型区、及设于该n型区与该p型区之间之发光区。该n型区、该p型区、及该发光区形成一腔，该腔具有一顶表面与一底表面。该腔之顶表面与底表面皆可具有一粗糙表面。例如，该表面可具有由复数个波谷分隔之复数个波峰。在一些实施例中，藉由将一蚀刻终止层并合于该装置，接着利用一终止于该蚀刻终止层上之制程将该装置之诸层薄化，该腔之厚度即得以保持不变。