| 发明名称 |
Hetero-Bipolartransistor mit einem schmalen Dotierungsprofil |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10352765(B4) |
申请公布日期 |
2013.03.28 |
| 申请号 |
DE2003152765 |
申请日期 |
2003.11.12 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC |
发明人 |
LOECHELT, GARY H. |
| 分类号 |
H01L29/737;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L29/737 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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