| 摘要 |
<p>Ein Glättungsverfahren für Halbleitermaterial und Halbleiterwafer, welche durch das Verfahren hergestellt werden, werden offenbart. Halbleiterwafer (100) mit reduzierten atomaren Stufen (104) sowie mit reduzierten Kratzern und Suboberflächendefekten können hergestellt werden. Solche Wafer (100) haben eine verbesserte Wachstumsoberfläche (108), welche für das Wachstum einer Epischicht mit reduzierten makroskopischen Defekten und Defektdichten sorgen kann. Ein Verfahren zum Glätten der Oberfläche (102) eines Wafers (100) gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung beinhaltet ein Planarisieren der Oberfläche (102) eines Halbleiterwafers (100) und ein anschließendes Oxidieren des Wafers (100) zum Erzielen einer spezifizierten Dicke eines Oxids (106) auf der Oberfläche des Wafers (100). Das Oxid (106) kann dann von der Oberfläche (108) des Halbleiterwafers entfernt werden.</p> |
